[发明专利]一种降气体流速的MEMS缓冲器结构在审
| 申请号： | 201810313554.5 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108717097A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 董林玺;徐忠仁 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降气体流速的MEMS缓冲器结构。本发明为键合到MEMS传感器基底上的薄壳；所述的薄壳带有网孔，由硅片进行各向异性刻蚀形成，且薄壳已氧化；所述的网孔在薄壳上均匀排列，且薄壳外部为长方体结构。当外部气体流经传感器薄膜前经过网孔薄壳会产生减速效果，并在气体流进薄壳后由于薄壳内壁的阻挡，使得气体在薄壳内部运动速度保持在低水平，从而减小气体流动带走薄膜表面过多的热量，减小薄膜表面温度的降低，使加热器的稳定性提高，减小能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 薄壳 减小 网孔 缓冲器结构 薄膜表面 气体流速 各向异性刻蚀 加热器 长方体结构 传感器薄膜 减速效果 均匀排列 气体流动 速度保持 外部气体 低水平 气体流 硅片 基底 键合 内壁 能耗 阻挡 外部 | ||
【主权项】：
1.一种降气体流速的MEMS缓冲器结构，其特征在于：为键合到MEMS传感器基底上的薄壳；所述的薄壳带有网孔，由硅片进行各向异性刻蚀形成，且薄壳已氧化；所述的网孔在薄壳上均匀排列，且薄壳外部为长方体结构。
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