[发明专利]一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法有效
| 申请号： | 201810314077.4 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108766488B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李娜;张雪;侯士敏;王永锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 300452 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种基于分子自旋态的超高密度存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变分子层，自旋态可变分子层规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。本发明实现了信息的单分子写入，相邻分子可进行无干扰的自旋态调控，实现了信息的稳定存储，存储密度高达7*10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分子 自旋 超高 密度 存储 器件 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于分子自旋态的超高密度存储器件，其特征在于：该存储器件包括基体、数据存储介质和探针；所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变分子层，自旋态可变分子层中的分子规则排列在导电基体表面；所述探针用于将数据写入数据存储介质和/或读取存储在数据存储介质的数据；所述写入操作包括改变自旋态可变分子层中分子的自旋态，所述读取操作包括检测出自旋态可变分子层中分子的自旋态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院，未经北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810314077.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
