[发明专利]一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法有效
| 申请号： | 201810314406.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108517502B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法，包括：对基材进行预处理；采用物理气相沉积设备对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗；固定基材并对基材表面进行等离子体轰击和刻蚀；在基材表面沉积低应力DLC薄膜；以及在真空环境下冷却基材表面沉积的低应力DLC薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 低应力 表面制备 基材表面 软基材 物理气相沉积设备 预处理 等离子体轰击 高纯石墨靶 表面沉积 固定基材 溅射清洗 冷却基材 真空环境 基材 刻蚀 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在软基材表面制备低应力DLC薄膜的方法，包括：/n步骤1：对基材进行预处理；/n步骤2：采用物理气相沉积设备对高纯石墨靶材表面进行溅射清洗；/n步骤3：固定基材并对基材表面进行等离子体轰击和刻蚀；/n步骤4：在基材表面沉积低应力DLC薄膜；以及/n步骤5：在真空环境下冷却基材表面沉积的低应力DLC薄膜；/n所述步骤3包括：/n将基材通过装夹固定在转架上，将转架安装到真空腔室内部的旋转轴上，调整基材位置，使其高度位于高纯石墨靶材的中间位置，高纯石墨靶材的靶面与基材之间的距离为10厘米-20厘米；高纯石墨靶材设置在真空腔室侧壁上；/n打开抽真空系统的机械泵对真空腔室预抽真空，待真空腔室的真空度为10
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