[发明专利]一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件

摘要

本发明属于集成电路静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护领域，具体提供一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件；本发明基于HBT器件结构，采用基极浮空设计，作为ESD保护器件使用时，HBT的发射极(阴极)接地，基极浮空，集电极(阳极)接芯片的输入输出端(I/O)或电源端；本发明中HBT器件采用基极浮空设计，使触发HBT器件开启的雪崩击穿电压由现有不可调的BVCBO变为可调的基极开路发射结雪崩击穿电压BVCEO，即能够通过调节发射结面积有效调节触发电压；并且，由于基极浮空，能够缩小ESD保护电路的版图面积，特别是采用多个HBT器件并联使用时，尤其能够有效缩小ESD保护电路的版图面积。

主权项

1.一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件，其特征在于，包括：一个第一种导电类型硅衬底，所述第一种导电类型硅衬底上形成一个第二种导电类型埋层，所述第二种导电类型埋层上形成一个第二种导电类型区，所述第二种导电类型区两侧各形成一个第二种导电类型重掺杂区，第二种导电类型重掺杂区与第二种导电类型区之间的高低结结面处均形成一个浅槽隔离区，且两个第二种导电类型重掺杂区均与ESD保护器件阳极相连接，所述两个浅槽隔离区及第二种导电类型区表面上形成第一种导电类型锗硅区，所述第一种导电类型锗硅区表面上形成K个第二种导电类型重掺杂多晶硅区、K≥1，每个第二种导电类型重掺杂多晶硅区两侧均形成氧化侧墙，且每个第二种导电类型重掺杂多晶硅区均与ESD保护器件的阴极相连接。