[发明专利]一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器有效
| 申请号： | 201810315250.2 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108521075B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张保平;许荣彬;梅洋;徐欢;应磊莹;郑志威 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 分布布拉格反射镜 量子阱 蓝光 发射激光器 绿光 电极 电流限制层 材料组合 反射率 增益谱 势垒 势阱 铜衬 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，其特征在于其从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2；所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。
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