[发明专利]被加工物的加工方法有效
申请号: | 201810316110.7 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108735666B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 小幡翼 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种被加工物的加工方法,用简单的方法将被加工物分割成芯片。被加工物具有透明基板、在基板表面的第1树脂层、在基板背面的第2树脂层,第1树脂层由多条分割预定线划分成多个区域,该方法具备:带粘贴步骤,将粘接带粘贴在第2树脂层;保持步骤,用激光加工装置的卡盘工作台对被加工物进行保持;树脂层除去步骤,对被加工物照射具有对第1树脂层来说为吸收性、对基板来说为透过性的波长的激光束,用烧蚀加工沿分割预定线除去第1树脂层;改质层形成步骤,越过除去第1树脂层的区域对被加工物照射激光束,在基板内部沿分割预定线形成改质层;分割步骤,扩展粘接带,以改质层为起点沿该分割预定线将基板和第2树脂层断裂,被加工物分割成芯片。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种被加工物的加工方法,其是板状的被加工物的加工方法,该板状的被加工物具有透明的基板、层叠在该基板的表面的第1树脂层、以及层叠在该基板的背面的第2树脂层,该第1树脂层由相互交叉的多条分割预定线划分成多个区域,该加工方法的特征在于,其具备下述步骤:带粘贴步骤,将具有扩展性的粘接带粘贴在该被加工物的该第2树脂层上,保持步骤,利用激光加工装置的卡盘工作台隔着该粘接带对该被加工物进行保持,树脂层除去步骤,对该被加工物照射具有对于该第1树脂层来说为吸收性、对于该透明基板来说为透过性的波长的激光束,利用烧蚀加工沿着该分割预定线除去该第1树脂层,改质层形成步骤,在实施该树脂层除去步骤之后,越过除去了该第1树脂层的表面侧的区域对该被加工物照射所述激光束,在该透明基板的内部沿着该分割预定线形成折射率或机械强度与周围不同的改质层,以及分割步骤,在实施该改质层形成步骤之后,扩展该粘接带,以该改质层为断裂起点沿着该分割预定线将该透明基板和背面侧的该第2树脂层断裂,将该被加工物分割成芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810316110.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体芯片的翻膜方法
- 下一篇:器件芯片的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造