[发明专利]基于SiGe材料的电调谐有源波导结构以及应用其的MZI结构

摘要

本发明提供了一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构、以及MZI结构，属于硅基光电子器件领域。基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，有源区位于第一接触区和第二接触区的中央区域，在有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，经由第一接触区和第二接触区对有源区施加垂直电场。由此，QCSE效应与FK效应相结合，不仅使材料吸收带边移动叠加从而材料在特定波长下的吸收系数和折射率改变，而且获得线性的吸收特性曲线，因而，提升了器件的调制效率、器件的工作速度、补偿了调制的线性度、降低了器件的功耗、缩减了器件的尺寸。

主权项

1.一种基于SiGe材料的电调谐有源波导结构，为脊形波导结构，从波导结构底部向上依次包括：Si衬底、SiO2掩埋层、第一接触区、有源区及第二接触区，所述有源区位于所述第一接触区和所述第二接触区的中央区域，在所述有源区从下到上层叠有SiGe本征区和Ge/SiGe量子阱本征区，其中，经由所述第一接触区和所述第二接触区对所述有源区施加垂直电场。