[发明专利]金属栅格的形成方法、图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810318820.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108666331A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 龙海凤;李天慧;黄晓橹;罗加聘 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种金属栅格的形成方法、图像传感器及其形成方法，其中金属栅格的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底上形成无定型碳层；在所述无定型碳层形成露出所述半导体衬底的凹槽，所述凹槽定义出金属栅格的位置和尺寸；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属层，所述金属层填满所述凹槽；平坦化所述金属层至露出所述无定型碳层上的所述绝缘层；去除所述无定型碳层及其上的所述绝缘层，露出分立排列的金属栅格。所形成的金属栅格的关键尺寸在足够小时，不会发生坍塌情况。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅格 无定型碳层 绝缘层 衬底 半导体 深沟槽隔离结构 光电二极管 图像传感器 金属层 分立 金属层填满 绝缘层表面 凹槽侧壁 凹槽定义 平坦化 去除 坍塌 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅格的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底上形成无定型碳层；在所述无定型碳层形成露出所述半导体衬底的凹槽，所述凹槽定义出金属栅格的位置和尺寸；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属层，所述金属层填满所述凹槽；平坦化所述金属层至露出所述无定型碳层上的所述绝缘层；去除所述无定型碳层及其上的所述绝缘层，露出分立排列的金属栅格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
