[发明专利]基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201810318916.X | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108539023B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 朱瑞;杨晓宇;涂用广;龚旗煌 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，包括平面型和介孔型两种结构，其中作为电子传输层的金属氧化物致密层或介孔层被联硼化合物修饰，从而改变了金属氧化物表面金属离子价态，实现了表面N型掺杂，提高了载流子浓度；同时也起到了钝化的作用，进一步改善了金属氧化物薄膜形貌。通过联硼化修饰电子传输层的钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转换效率和良好的光稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 修饰 太阳能电池 硼化合物 电子传输层 钙钛矿型 制备 载流子 金属氧化物薄膜 金属氧化物表面 形貌 光电转换效率 金属离子价态 金属氧化物 光稳定性 钙钛矿 平面型 致密层 钝化 介孔 孔型 硼化 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底，以及在该衬底上依次层叠的透明电极、金属氧化物电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于，所述金属氧化物电子传输层与钙钛矿吸光层接触的界面被联硼化合物修饰，所述联硼化合物的化学通式为B
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810318916.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
