[发明专利]基于光电器件的动态随机存取存储单元及其制备方法有效
申请号: | 201810318941.8 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108321245B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 陆颢瓒;戴瑞萍;张焕卿;王德波 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/18;G11C11/42 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 210046 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了基于光电器件的动态随机存取存储单元及其制备方法,该动态随机存取存储单元的结构主要由动态存储电路和外部光纤引线组成。其中,动态存储电路由光敏二极管、激光二极管、存储电容、放电电阻、电源组成;外部光纤引线由读/写两条光纤组成,写入光纤从光敏二极管引出,读出光纤从激光二极管引出。本发明通过二极管利用光电转换进行读写,并利用电容进行动态存储,相比于传统利用MOS管的动态随机存取存储单元,具有高集成度等优点,同时利用光纤作为信号连接线,具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 光电 器件 动态 随机存取 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.基于光电器件的动态随机存取存储单元,其特征在于:所述基于光电器件的动态随机存取存储单元的结构主要动态存储电路和外部光纤引线组成;所述动态存储电路由光敏二极管、激光二极管、存储电容、放电电阻、电源组成;所述光敏二极管的N端连接着电源,P端一路连接着存储电容,另一路连接激光二极管的P端,即光敏二极管与激光二极管的P端相连,其公共端连接电容一端,电容的另一端接地,激光二极管的N端通过电阻接地;所述外部光纤引线有读/写两条光纤,其中,写入光纤从光敏二极管引出,读出光纤从激光二极管引出,光敏二极管与激光二极管之间设置有光学隔离墙,隔离墙由覆盖层提供。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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