[发明专利]一种抑制多晶硅PERC电池热辅助光诱导衰减的方法在审
申请号: | 201810319536.8 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108615790A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 黄仕华;芮哲 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人: | 朱枫 |
地址: | 321004 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种抑制多晶硅PERC电池热辅助光诱导衰减的方法,所采用的电池片结构包括前电极、氮化硅抗反射层和钝化层、磷扩散层、p型多晶硅、氧化铝钝化层、氮化硅保护层、背电极,将电池片放入无光照、空气氛围的普通退火炉中,退火炉温度设置为180‑200℃,退火时间为3小时。本发明提出的无光照低温退火技术具有成本低、工艺简单、对电池性能不产生负面影响等特点,因此在多晶硅PERC太阳能电池产业中具有广泛的推广应用价值。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅 退火 电池片 光诱导 热辅助 无光照 衰减 电池 太阳能电池产业 氮化硅保护层 氧化铝钝化层 低温退火 电池性能 负面影响 抗反射层 空气氛围 磷扩散层 背电极 氮化硅 钝化层 前电极 退火炉 放入 炉温 | ||
【主权项】:
1.一种抑制多晶硅PERC电池热辅助光诱导衰减的方法,所采用的电池片结构包括前电极、氮化硅抗反射层和钝化层、磷扩散层、p型多晶硅、氧化铝钝化层、氮化硅保护层、背电极,其特征在于:将电池片放入无光照、空气氛围的普通退火炉中,退火炉温度设置为180‑200℃,退火时间为3小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江师范大学,未经浙江师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810319536.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种去除绕镀的方法
- 下一篇:一种阶梯膜厚网版及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的