[发明专利]一种随形贴合有机场效应晶体管及晶体管阵列和它们的制备方法

摘要

本发明公开了一种随形贴合有机场效应晶体管及晶体管阵列和它们的制备方法。该方法包括如下步骤：在表面修饰十八烷基三氯硅烷的衬底分别制备源电极、漏电极和栅电极，然后在各电极的金属电极表面修饰五氟苯硫酚；继续在源、漏电极的金属电极表面沉积有机半导体层，然后旋涂绝缘聚合物层；在栅电极的金属电极表面旋涂弹性支撑层，并将栅电极从衬底上转移；将栅电极的金属电极表面、源、漏电极的聚合物绝缘层表面分别进行氧等离子体处理以在表面形成羟基；将栅电极、源电极和漏电极连接形成一个整体并从衬底转移下来即可。本发明把光刻法技术与有机半导体成功集成在一起，可以制备高精度、复杂的有机场效应晶体管和晶体管阵列，实现高集成度，利于工业化生产。

主权项

1.一种随形贴合有机场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：(1)在表面修饰十八烷基三氯硅烷的衬底上，利用光刻的方法分别制备源电极、漏电极和栅电极；(2)在所述源电极和所述漏电极的金属电极表面修饰五氟苯硫酚；(3)在步骤(2)得到的所述源电极和所述漏电极的金属电极表面沉积有机半导体形成有机半导体层；(4)在步骤(3)得到的所述源电极和所述漏电极的所述有机半导体层的表面旋涂绝缘聚合物，经固化得到聚合物绝缘层；在步骤(1)得到的所述栅电极的金属电极表面旋涂弹性绝缘材料，经固化得到弹性支撑层；(5)将旋涂有所述弹性支撑层的所述栅电极从所述衬底上转移；(6)将所述栅电极的所述金属电极表面、所述源电极和所述漏电极的所述聚合物绝缘层表面分别进行氧等离子体处理，即在表面形成羟基；(7)将所述栅电极的所述金属电极表面、所述源电极和所述漏电极的所述聚合物绝缘层表面进行对正，并放入烘箱中加热，则将所述栅电极、所述源电极和所述漏电极连接形成一个整体，然后从所述衬底上转移即得到所述随形贴合有机场效应晶体管。