[发明专利]一种基于光子晶体的磁场温度双参量传感器在审
| 申请号： | 201810320487.X | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108693489A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 施伟华;陈伟;徐雪影 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01K11/32 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于光子晶体的磁场温度双参量传感器，包括由高折射率介质层与低折射率介质层形成的一维周期性结构、缺陷层和金属膜层；所述缺陷层穿插在一维周期性结构中间，缺陷层上表面和下表面均与低折射率介质层接触；金属膜层在最外层，覆盖在高折射率介质层外表面；所述高折射率介质层为TiO2层，低折射率介质层为Al2O3层，缺陷层为水基Fe3O4磁流体，金属膜层为银金属层；缺陷层、高折射率介质层、低折射率介质层、金属膜层沿Z轴方向排列，排列顺序为(HL)5MF(LH)5‑Ag。本发明提供的磁场温度双参量传感器，灵敏度高、抗干扰、结构简单、体积小、质量轻，能实现磁场和温度的分别测量。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷层 低折射率介质层 高折射率介质层 金属膜层 磁场 双参量传感器 周期性结构 光子晶体 方向排列 银金属层 抗干扰 灵敏度 磁流体 上表面 体积小 下表面 最外层 穿插 测量 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种基于光子晶体的磁场温度双参量传感器，其特征在于：包括由高折射率介质层与低折射率介质层形成的一维周期性结构、缺陷层和金属膜层；所述缺陷层穿插在一维周期性结构中间，缺陷层上表面和下表面均与低折射率介质层接触；金属膜层在最外层，覆盖在高折射率介质层外表面。
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