[发明专利]一种IGBT模块的封装结构及加工工艺有效
| 申请号： | 201810320648.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108461484B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 鲍婕;王哲;刘琦;占林松;宁仁霞;何聚;许媛 | 申请（专利权）人： | 黄山学院 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/373;H01L23/29;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 245041 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高可靠性IGBT模块的封装结构及加工工艺，其结构包括上表面图形化生长二维层状六方氮化硼的直接敷铜基板、IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、底板、焊料层、键合引线、母线、塑料外壳以及二维层状六方氮化硼填充增强灌封硅胶。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长二维层状六方氮化硼薄膜，通过发挥其优异的面内热传导性能，将大功率IGBT模块的局部热点热量迅速横向传开，进而通过直接敷铜基板向外传导，降低模块最高温度，同时采用二维层状六方氮化硼增强硅胶进行灌封，改善传统硅胶的热传导性能，有效提高模块的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 模块 封装 结构 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高可靠性IGBT模块的封装结构，其特征在于，包括：直接敷铜基板(14)，其上表面包括IGBT芯片集电极和快速恢复二极管芯片阴极的共同连接区(15)、IGBT芯片的栅极连接区(16)以及IGBT芯片的发射极引出端(41)，其下表面具有底板连接区(13)；在直接敷铜基板(14)上表面对应快速恢复二极管芯片(19)阴极的位置制作有第一二维层状六方氮化硼薄膜(30)，在直接敷铜基板(14)上表面对应IGBT芯片(21)的集电极的位置制作有第二二维层状六方氮化硼薄膜(31)；所述快速恢复二极管芯片(19)的阴极和IGBT芯片(21)的集电极通过第一焊料层(17)与所述直接敷铜基板(14)上表面的共同连接区(15)互连；所述直接敷铜基板(14)下表面的底板连接区(13)由第三焊料层(12)与底板(11)焊接；外壳(25)将所述直接敷铜基板(14)、快速恢复二极管芯片(19)、IGBT芯片(21)及所有键合引线封装在底板(11)上。
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