[发明专利]一种强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备及加工方法在审
| 申请号： | 201810320754.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108559956A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 阮志明 | 申请（专利权）人： | 深圳市正和忠信股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中山市兴华粤专利代理有限公司 44345 | 代理人： | 林红燕 |
| 地址： | 518117 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备及加工方法。所述强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备包括真空腔体、真空抽气装置、反应气体控制及分配装置、多弧电源；所述真空腔体内设有多弧蒸发源，所述多弧蒸发源的前端设置有多弧挡板；所述真空腔体内设置一辅助阳极。所述加工方法包括工件清洗、电子轰击加热清洗、离子轰击清洗、沉积底层、沉积过渡层、沉积类金刚石碳膜。所提供的设备和方法通过采用多弧蒸发源产生并控制高能电子的浓度和能量，多弧挡板用于避免多弧蒸发源产生的大粒子对类金刚石碳膜的影响，采用辅助阳极控制沉积类金刚石碳膜时等离子体的离化率，从而提高膜层沉积速率，光泽度和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 类金刚石碳膜 沉积 蒸发源 辉光放电 辅助阳极 弧挡板 真空腔 等离子体 加工 体内 离子轰击清洗 真空抽气装置 真空镀膜技术 电子轰击 反应气体 分配装置 高能电子 工件清洗 膜层沉积 前端设置 真空腔体 大粒子 光泽度 过渡层 弧电源 离化 加热 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备，其特征在于：所述强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备包括真空腔体、真空抽气装置、反应气体控制及分配装置、多弧电源；所述真空腔体内设有抽真空口、工件转架、多弧蒸发源、磁控溅射靶、若干加热管、若干气体分布管；所述抽真空口设置于所述真空腔体一侧面，所述工件转架设置于所述真空腔体的中间区域，所述加热管和气体分布管均匀布置在工件转架两侧；所述多弧蒸发源设置于真空腔体侧面，所述磁控溅射靶设置于与多弧蒸发源相对的另一侧面；所述多弧蒸发源的前端设置有活动连接的多弧挡板。
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