[发明专利]一步法制备多色微纳晶的工艺方法在审
| 申请号： | 201810322483.5 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110359086A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 廖清;尹璠;付红兵 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100048 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一步法制备多色微纳晶的工艺方法。该方法是通过物理气相沉积的办法实现的，包括如下步骤：在真空条件下，将半导体荧光材料分子放在真空管式炉热源位置。设置好程序升温，根据分子的热重曲线设置分子的升华温度。并由左向右通一定速率的惰性载气，如氮气、氩气等，在气体的下游放置好载玻片用来收集棒状微纳晶。半导体由于其凝华温度的专一性，可以在固定的区域可以得到较纯的棒状半导体微纳晶。该方法解决了棒状微纳晶的纯度问题，使微纳晶纯度高达达到100％。所用设备简单，快速方便，操作简单，成本低，可重复性非常高，较高纯度的微纳晶提高了半导体激光器的各项性能，降低半导体激光器阈值，提高激光器稳定性，具有较高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 纳晶 棒状 半导体 半导体激光器 一步法制备 多色 激光器稳定性 物理气相沉积 氮气 真空管式炉 程序升温 纯度问题 惰性载气 可重复性 热源位置 热重曲线 所用设备 荧光材料 真空条件 氩气 高纯度 固定的 载玻片 专一性 凝华 升华 应用 | ||
【主权项】：
1.一步法制备多色微纳晶的工艺方法，包括如下步骤：在真空环境条件下，将半导体荧光材料分子放在真空管式炉热源位置，设置好程序升温，根据分子的热重曲线设置分子的升华温度，并由左向右通一定速率的惰性载气，如氮气、氩气等，在惰性载气的下游放置好载玻片用来收集棒状微纳晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首都师范大学，未经首都师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810322483.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造石榴石型晶体的方法
- 下一篇：碳化硅单晶生长装置及制造碳化硅单晶的方法
