[发明专利]射频开关电路和射频开关装置

摘要

本发明提供一种射频开关电路和射频开关装置，本发明的射频开关电路中，每个第一导电类型MOS晶体管的源漏之间串联一个源漏电阻，可以防止任何直流电压从所述第一导电类型MOS晶体管流过，这有助于确保每个处于关断状态的第一导电类型MOS管的电压压降均匀分布；每个第一导电类型MOS晶体管的栅体之间增加一个导电类型相反且采用二极管接法的第二导电类型MOS晶体管，可以减小寄生电容对线性度的影响，同时避免射频信号向偏置电路的泄漏，提高每个第一导电类型MOS晶体管的功率处理能力，降低射频开关电路的插入损耗，提高射频开关电路的线性度和隔离性能。本发明的射频开关装置，由于采用了本发明的射频开关电路。

主权项

1.一种射频开关电路，其特征在于，包括至少一个射频信号通路，所述射频信号通路包括用于输入射频信号的信号输入端、用于输出射频信号的信号输出端以及至少一条支路，所述支路为设置在所述信号输入端和所述信号输出端之间的串联支路，或，所述支路为设置在所述信号输入端和地之间或所述信号输出端和地之间的并联支路；所述支路包括一个第一导电类型MOS晶体管或者多个依次源漏相接而堆叠的第一导电类型MOS晶体管；每个所述的第一导电类型MOS晶体管的源端和漏端之间串联有一个源漏电阻，每个所述的第一导电类型MOS晶体管的栅端和体端之间连接一个导电类型与所述第一导电类型MOS晶体管相反的第二导电类型MOS晶体管，所述第二导电类型MOS晶体管的源端与所述第一导电类型MOS晶体管的体端连接，所述第二导电类型MOS晶体管的漏端分别与所述第二导电类型MOS晶体管的栅端以及所述第一导电类型MOS晶体管的栅端连接。