[发明专利]高精度、低功耗电源装置的带隙基准源的工作方法

摘要

本发明涉及电源技术领域，尤其涉及的是高精度、低功耗电源装置的带隙基准源的工作方法。本发明中的一种低功耗带隙基准源，包括输入稳压电路和基准源产生电路。本发明还提供了一种电源装置。本发明在传统带隙基准电压电路的基础上，通过增加温度补偿支路，降低了输出电压的温度系数，并且具有较低的功耗。本发明的低功耗带隙基准源及电源装置，有效地解决了现有技术中带隙基准源精度差、功耗高的问题，在传统基准电压电路的基础上，通过增加温度补偿支路，降低了输出电压的温度系数，并且具有较低的功耗。

主权项

1.一种低功耗带隙基准源的工作方法，所述带隙基准源包括输入稳压电路和基准源产生电路；其特征在于，所述输入稳压电路包括第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的源极连接电压VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；所述基准源产生电路包括：第二PMOS管P2，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第二PMOS管P2的漏极连接第一NMOS管N1的漏极和栅极以及第二NMOS管N2的栅极，第一NMOS管N1的源极连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的另一端接地；第四电阻R4的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第四电阻R4的另一端连接第三PMOS管P3的源极，第三PMOS管P3的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第六电阻R6、第七电阻R7的一端以及第二NMOS管N2的漏极，第六电阻R6的另一端连接第八电阻R8的一端和第二运算放大器OP2的反向输入端，第八电阻R8的另一端连接第一三极管Q1的发射极，第七电阻R7的另一端连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第二三极管Q2的发射极，第一三极管Q1的集电极接地，第一三极管Q1的基极连接第九电阻R9的一端，第九电阻R9的另一端接地，第二三极管Q2的集电极接地，第二三极管Q2的基极连接第十电阻R10的一端，第十电阻R10的另一端接地，第三PMOS管P3的漏极即为基准源电路的输出端VOUT；所述的工作方法，包括：第二PMOS管P2的栅源电压差等于第三PMOS管P3栅源电压差加上电阻R4两端的电压，第三PMOS管P3通过接收第二运算放大器OP2的输出电压来控制流过第一三极管Q1、第二三极管Q2的两条支路电流之和，分别设定第二PMOS管P2、第三PMOS管P3的宽长比，从而获得对应倍数的电流镜像；同理，设定第一NMOS管N1、第二NMOS管N2的宽长比来获得对应倍数的电流镜像，从而通过控制流过第二NMOS管N2的电流对流过第一三极管Q1、第二三极管Q2的两条支路电流的温度系数进行曲率补偿，并获得更低温度系数的输出电压。