[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件，包括：形成于第一硅外延层选定区域中的漂移区和体区；在漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧。在体区表面形成有锗硅外延层，锗硅外延层还延伸到漂移区场氧外的漂移区表面，利用锗硅外延层提高载流子的迁移率从而降低沟道电阻和漂移区电阻，漂移区场氧的底部穿过锗硅外延层从而消除锗硅外延层对器件的击穿电压的影响。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能降低器件的导通电阻并同时使器件的击穿电压得到保持。

主权项

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一硅外延层，在所述第一硅外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧；在所述体区的表面形成有由栅介质层和多晶硅栅叠加而成的栅极结构，被所述多晶硅栅覆盖的所述体区表面用于形成沟道；所述栅介质层的第二侧和所述漂移区场氧的第一侧相接触，所述多晶硅栅的第二侧延伸到所述漂移区场氧的表面上；源区形成于所述体区表面且所述源区的第二侧和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区形成于所述漂移区中且所述漏区的第一侧和所述漂移区场氧的第二侧自对准；在所述体区表面形成有锗硅外延层，所述锗硅外延层还延伸到所述漂移区场氧外的所述漂移区表面，利用所述锗硅外延层提高载流子的迁移率从而降低沟道电阻和漂移区电阻，所述漂移区场氧的底部穿过所述锗硅外延层从而消除所述锗硅外延层对器件的击穿电压的影响。