[发明专利]一种光刻胶图形的制备方法在审
| 申请号： | 201810324138.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110376845A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 乐艮;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶图形的制备方法，包括下列步骤：步骤1)在基底上形成第一光刻胶层；步骤2)在所述第一光刻胶层上沉积掩膜层；步骤3)在所述掩膜层上形成第二光刻胶层；步骤4)利用双光束激光干涉曝光在所述第二光刻胶层上形成第二光刻胶图形；步骤5)将所述第二光刻胶图形转移到所述掩膜层上以形成掩膜图形；步骤6)以所述掩膜图形为掩膜，在所述第一光刻胶层上形成第一光刻胶图形。本发明的制备方法能够高效地获得大面积的纳米级图形结构，克服了激光干涉曝光装置固有的驻波效应对微纳级光刻胶图形的侧壁带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶图形 光刻胶层 制备 掩膜图形 掩膜层 纳米级图形结构 双光束激光干涉 沉积掩膜层 激光干涉 曝光装置 驻波效应 侧壁 基底 掩膜 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶图形的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1)在基底上形成第一光刻胶层；步骤2)在所述第一光刻胶层上沉积掩膜层；步骤3)在所述掩膜层上形成第二光刻胶层；步骤4)利用双光束激光干涉曝光在所述第二光刻胶层上形成第二光刻胶图形；步骤5)将所述第二光刻胶图形转移到所述掩膜层上以形成掩膜图形；步骤6)以所述掩膜图形为掩膜，在所述第一光刻胶层上形成第一光刻胶图形。
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