[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201810324278.2 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN108400214A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 全水根;晋根模 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/14;H01L33/46;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/32;H01L33/42;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 空穴 导电性 分布布拉格反射器 半导体发光元件 供给电子 开口 源层 半导体层电 第二电极 第一电极 反射 复合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；分布布拉格反射器，其反射来自有源层的光，并具备第一开口，通过第一开口形成的分布布拉格反射器的面是倾斜的；第一电极，其向第一半导体层供给电子和空穴中的一个；及第二电极，其通过第一开口而与多个半导体层电连接，以使向第二半导体层供给电子和空穴中的另一个。
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