[发明专利]一种低电压低输出阻抗跨阻放大器

摘要

本发明公开一种低电压低输出阻抗跨阻放大器，包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻，MOS管构成两级放大器，第一级为共栅放大器结构，第二级为共源放大器结构；电阻跨接于输入端和输出端之间，保证了低输入阻抗和低输出阻抗。此种结构可工作在低电源电压下，提高了电流转换效率并缓解了带外干扰信号对电路工作点的影响。

主权项

1.一种低电压低输出阻抗跨阻放大器，其特征在于：包括第一至第十MOS管以及第一、第二电阻，其中，第一MOS管的栅极接第一偏置电压，第一MOS管的源极接电源，第一MOS管的漏极接第三MOS管的源极；第三MOS管的源极为输入电流正极，第三MOS管的栅极接地，第三MOS管的漏极接第七MOS管的漏极；第七MOS管的栅极接第二偏置电压，第七MOS管的源极接地；第二MOS管的源极接电源，第二MOS管的栅极接第三MOS管的漏极，第二MOS管的漏极接第八MOS管的漏极，第二MOS管的漏极为电压输出负极；第八MOS管的栅极接第二偏置电压，第八MOS管的源极接地；第一电阻的正极接第三MOS管的源极，第一电阻的负极接电压输出负极；第五MOS管的栅极接第一偏置电压，第五MOS管的源极接电源，第五MOS管的漏极接第六MOS管的源极；第六MOS管的源极为输入电流负极，第六MOS管的栅极接地，第六MOS管的漏极接第十MOS管的漏极；第十MOS管的栅极接第二偏置电压，第十MOS管的源极接地；第四MOS管的源极接电源，第四MOS管的栅极接第六MOS管的漏极，第四MOS管的漏极接第九MOS管的漏极，第四MOS管的漏极为电压输出正极；第九MOS管的栅极接第二偏置电压，第九MOS管的源极接地；第二电阻的正极接第六MOS管的源极，第二电阻的负极接电压输出正极。