[发明专利]一种稳定的锂金属负极在审
| 申请号： | 201810324658.6 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108428858A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 吕伟;张琛;黄志佳;张云博;游从辉;杨全红;康飞宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/66 |
| 代理公司： | 广东德而赛律师事务所 44322 | 代理人： | 叶秀进 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种稳定的锂金属负极，包括负极集流体和负载于所述集流体表面的负极活性物质层，所述负极活性物质层为锂金属层，所述负极集流体包括集流体本体和原位生长于所述集流体本体上的亲锂纳米阵列，并且所述亲锂纳米阵列的厚度为0.8μm‑20μm。相对于现有技术，本发明通过在集流体本体上设置亲锂纳米片阵列，这不仅有利于离子传输，可实现锂离子的均匀分布，而且可增加与锂金属的亲和性，提供亲锂形核位点，实现锂金属沉积过程中的均匀形核和稳定沉积。该原位生长的阵列结构可保证与铜集流体紧密接触，降低电极的有效电流密度，从而实现锂金属均匀沉积，而且该亲锂集流体可抑制锂枝晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 集流体本体 锂金属 负极活性物质层 负极集流体 锂金属负极 纳米阵列 原位生长 沉积 电池技术领域 有效电流密度 纳米片阵列 均匀沉积 均匀形核 离子传输 铜集流体 阵列结构 锂金属层 电极 集流体 亲和性 锂离子 锂枝晶 位点 形核 生长 保证 | ||
【主权项】：
1.一种稳定的锂金属负极，包括负极集流体和负载于所述集流体表面的负极活性物质层，所述负极活性物质层为锂金属层，其特征在于：所述负极集流体包括集流体本体和原位生长于所述集流体本体上的亲锂纳米阵列，并且所述亲锂纳米阵列的厚度为0.8 μm ‑20 μm。
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