[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810324711.2 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110364428B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张建军;王霆;张结印 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/24 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基砷化镓 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种锗‑硅基砷化镓材料，所述硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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