[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201810325115.6 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108695353A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 石井胜;李贵德;李泰渊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培;黄隶凡 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区,其中半导体衬底与第一导电类型相关,浮动扩散区与第二导电类型相关,势垒掺杂区与第一导电类型相关,以及电荷漏区与第二导电类型相关。 | ||
搜索关键词: | 衬底 电荷存储节点 光电转换元件 浮动扩散区 半导体 掺杂区 势垒 第一导电类型 图像传感器 导电类型 电荷 漏区 光电荷 可存储 耦合到 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:光电转换元件,其被配置成产生光电荷;以及电荷存储节点,其被配置成耦合到所述光电转换元件,所述电荷存储节点被配置成存储所述光电转换元件中产生的光电荷,所述电荷存储节点包含半导体衬底中的浮动扩散区,所述半导体衬底与第一导电类型相关,所述浮动扩散区与第二导电类型相关,在所述半导体衬底中的所述浮动扩散区上的势垒掺杂区,所述势垒掺杂区与所述第一导电类型相关,以及在所述半导体衬底中的所述势垒掺杂区上的电荷漏区,所述电荷漏区与所述第二导电类型相关。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的