[发明专利]具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底有效
| 申请号： | 201810326216.5 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108538734B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | J·S·冈萨雷斯;H·乔玛 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/683;H01L23/48;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/10;H01L23/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜;黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有嵌入式层叠硅通孔管芯的衬底。描述了具有嵌入式层叠硅通孔的衬底。例如，一种装置包括第一管芯和第二管芯。第二管芯具有布置在其中的一个或多个硅通孔(TSV管芯)。第一管芯通过所述一个或多个硅通孔电耦合到TSV管芯。该装置还包括无芯衬底。第一管芯和TSV管芯二者都嵌入在无芯衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 层叠 硅通孔 管芯 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：第一管芯；第二管芯(TSV管芯)，包括布置在其中的一个或多个硅通孔，第一管芯通过所述一个或多个硅通孔电耦合到所述TSV管芯；以及无芯衬底，其中第一管芯和所述TSV管芯二者都嵌入在所述无芯衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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