[发明专利]一种芴并咔唑的胺类衍生物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810327166.2 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110372570B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 穆广园;庄少卿;任春婷 | 申请（专利权）人： | 武汉尚赛光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C07D209/94 | 分类号： | C07D209/94;C07D405/12;C07D405/14;C07D409/12;C07D409/14;H01L51/00;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;陈璐 |
| 地址： | 430075 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芴并咔唑的胺类衍生物及其制备方法和应用。本发明提供的芴并咔唑的胺类衍生物是通过引入富含空穴位点的官能团对稠环类刚性、密集结构的芴并咔唑进行修饰，构成了一类不对称的、空间位阻较大的非结晶型化合物，使其具备良好的热稳定性、成膜性，当作为空穴传输材料、电子阻挡层材料和/或出光层材料应用至有机电致发光器件时，与传统的空穴传输材料制备的有机电致发光器件相比，在启动电压、发光亮度、电流效率、流明效率和外量子效率等方面具有显著的进步，是一种理想的空穴传输材料、电子阻挡层材料和出光层材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衍生物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种芴并咔唑的胺类衍生物，其特征在于，其结构通式如下列结构式：![]()
其中，R1、R2、R3为取代或未取代的C6‑C30的芳香基、取代或未取代的C11‑C30的杂芳基中的任意一种；所述R1、R2和R3相同或者不相同。
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