[发明专利]一种生长单晶金刚石的方法及生长结构在审
| 申请号： | 201810327256.1 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108360065A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20;C30B25/18;C30B28/14 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长单晶金刚石的方法及生长结构。其中，一种生长单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层；步骤2、在择优取向多晶金刚石层上继续生长单晶金刚石，得到单晶金刚石。解决了金刚石生长尺寸小，以及生长所得单晶金刚石内部应力大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生长单晶金刚石 生长 多晶金刚石层 单晶金刚石 择优取向 金刚石生长 衬底表面 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种生长单晶金刚石的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在清洗过的衬底(1)表面生长一层具有择优取向多晶金刚石层(2)；步骤2、在择优取向多晶金刚石层(2)上继续生长单晶金刚石(3)，得到单晶金刚石。
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