[发明专利]无机薄膜压电二极管及制作方法在审
申请号: | 201810329502.7 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108447978A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 王东兴;苑丹妮;杨美中;张志文 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/47;H01L41/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一直以来压电材料都是非常重要的材料,被广泛应用于各个领域。近年来,压电材料的研究已经从含铅的钙钛矿和钛铁矿型压电材料到无机薄膜制造的压电材料,压电传感器的使用已经吸引很多研究者的关注。本发明的目的是提供一种通过测量无机薄膜二极管工作电流电压的变化,实现压力测定的无机薄膜压电二极管传感器。无机薄膜压电二极管,其组成包括:石英玻璃衬底,在玻璃衬底上沉积一层Al薄膜层,所述的Al薄膜层上面的有导电沟道ZnO薄膜层,两者之间形成欧姆接触,所述的ZnO薄膜层上有Ag薄膜层,形成肖特基接触。其中Al薄膜层厚度为20nm,所述的导电沟道ZnO薄膜层厚度为120nm,所述的Ag薄膜层厚度为50nm。所述ZnO薄膜为无机压电敏感膜。 | ||
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【主权项】:
1.一种无机薄膜压电二极管,其组成包括:石英玻璃衬底,所述的石英玻璃衬底上连接AL薄膜层,所述的Al薄膜层上连接导电沟道ZnO薄膜层,两者之间形成非整流的欧姆接触,所述的ZnO薄膜层上连接Ag薄膜层,两者之间形成肖特基接触,所述的Al薄膜层厚度为20nm,所述的导电沟道ZnO薄膜层厚度为120nm,所述的Ag薄膜层厚度为50nm。
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