[发明专利]摄像装置和电子设备在审
| 申请号： | 201810330102.8 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735767A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 万田周治;桧山晋;志贺康幸 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/378 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种摄像装置和电子设备。其中，摄像装置可包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化铪膜，其设置在所述沟槽中；第一氧化钽膜或第二氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化铪膜的内侧；第二氧化钽膜或第三氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化钽膜或所述第二氧化铪膜的内侧；以及第一氧化硅膜，其在所述沟槽中位于所述第二氧化钽膜或所述第三氧化铪膜的内侧。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铪膜 光电转换区 氧化钽膜 摄像装置 基板 电子设备 氧化硅膜 | ||
【主权项】：
1.一种摄像装置，包括：基板；第一光电转换区，其设置在所述基板中；第二光电转换区，其设置在所述基板中；凹槽，其设置在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间；第一氧化铪膜，其设置在所述沟槽中；第一氧化钽膜或第二氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化铪膜的内侧；第二氧化钽膜或第三氧化铪膜，其设置在所述沟槽中且位于所述第一氧化钽膜或所述第二氧化铪膜的内侧；以及第一氧化硅膜，其在所述沟槽中位于所述第二氧化钽膜或所述第三氧化铪膜的内侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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