[发明专利]套刻误差测量方法及套刻标记在审
| 申请号： | 201810330305.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108628107A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种套刻标记，涉及集成电路制造技术，该套刻标记包括当层套刻标记及相对于所述当层套刻标记的第一前层套刻标记和第二前层套刻标记，且所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记组合成为一个包括X方向的套刻标记和Y方向的套刻标记的前层套刻标记；以使晶圆能在一步套刻精度测量过程中同时获得当层与第一前层前层之间的套刻精度及当层与第二前层之间的套刻精度，进而可以通过光刻机的套刻精度补正系统来改善所述的套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 套刻标记 前层 当层 套刻 集成电路制造技术 套刻精度测量 补正系统 套刻误差 光刻机 晶圆 测量 | ||
【主权项】：
1.一种套刻误差测量方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一晶圆，并设计一套刻标记，所述套刻标记包括当层套刻标记、第一前层套刻标记和第二前层套刻标记；步骤S2，完成所述晶圆的第一前层的光刻、刻蚀工艺，形成所述第一前层套刻标记；步骤S3，完成所述晶圆的第二前层的光刻、刻蚀工艺，形成与所述第一前层套刻标记方向不同的所述第二前层套刻标记；步骤S4，完成所述晶圆的当层的光刻工艺，形成所述当层套刻标记；以及步骤S5，通过套刻精度测量方法同时获得所述当层与所述第一前层之间的套刻误差及所述当层与所述第二前层之间的套刻误差。
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