[发明专利]具有HKMG的PMOS在审
| 申请号： | 201810330468.5 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108615759A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王世铭;黄志森;许佑铨 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有HKMG的PMOS，HKMG包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间形成有依次叠加的第一功函数层、第二功函数层和第一阻障层，第一功函数层为PMOS的功函数层；第二功函数层为NMOS的功函数层；第一阻障层用于防止金属栅的材料向下渗透到第一功函数并对第一功函数层产生影响，使PMOS的性能稳定。本发明能防止金属栅的金属材料穿透到底部的PMOS管的功函数层中，从而能提高PMOS的稳定性；不需要额外增加光罩，不会增加工艺的复杂性，工艺成本低；不会影响到NMOS的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数层 金属栅 栅介质层 阻障层 金属材料 工艺成本 向下渗透 依次叠加 功函数 光罩 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种具有HKMG的PMOS，其特征在于，HKMG包括栅介质层和金属栅，在所述栅介质层和所述金属栅之间形成有依次叠加的第一功函数层、第二功函数层和第一阻障层，所述第一功函数层为PMOS的功函数层；所述第二功函数层为NMOS的功函数层；所述第一阻障层用于防止所述金属栅的材料向下渗透到所述第一功函数并对所述第一功函数层产生影响，使所述PMOS的性能稳定。
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