[发明专利]接触孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有栅极结构，源漏区，CESL层和第一层间膜的半导体衬底；步骤二、形成硬质掩膜层；步骤三、形成第二层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、以硬质掩膜层为停止层进行第一次接触孔刻蚀；步骤六、以接触孔刻蚀阻挡层为停止层进行第二次接触孔刻蚀；步骤七、在二次刻蚀后的接触孔的开口中填充金属形成对应的接触孔。本发明能提高接触孔的开口的底部宽度，从而能改善接触孔的金属填充能力并防止金属空洞形成。

主权项

1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构、源区、漏区、接触孔刻蚀阻挡层和第一层间膜；所述源区和所述漏区形成在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底表面，接触孔刻蚀阻挡层覆盖在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底表面上；所述第一层间膜形成在所述接触孔刻蚀阻挡层上，所述第一层间膜的顶部表面和所述栅极结构的顶部表面相平；步骤二、形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层覆盖在所述第一层间膜和所述栅极结构的表面；步骤三、在所述硬质掩膜层的表面形成第二层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、以所述硬质掩膜层为停止层进行第一次接触孔刻蚀，所述第一次接触孔刻蚀将位于所述硬质掩膜层顶部的所述接触孔的形成区域的所述第二层间膜去除并形成接触孔顶部开口，所述接触孔顶部开口的侧面呈倾斜结构且从顶部到底部所述接触孔顶部开口的尺寸逐渐减少；步骤六、去除所述接触孔顶部开口底部的所述硬质掩膜层，在所述硬质掩膜层打开区域的定义下以所述接触孔刻蚀阻挡层为停止层进行第二次接触孔刻蚀，所述第二次接触孔刻蚀将位于所述接触孔刻蚀阻挡层顶部的所述硬质掩膜层打开区域的所述第一层间膜去除并形成接触孔底部开口，所述接触孔底部开口的侧面呈垂直结构，所述源区和所述漏区顶部的接触孔开口由对应的所述接触孔底部开口和所述接触孔顶部开口叠加而成，所述栅极结构顶部的接触孔开口由对应的所述接触孔顶部开口组成；步骤七、在各所述接触孔的开口中填充金属形成对应的接触孔，侧面垂直的所述接触孔底部开口能防止所述源区和所述漏区顶部的接触孔开口的底部区域的宽度减少，从而防止金属填充过程中在所述源区和所述漏区顶部的接触孔开口中空洞。