[发明专利]鳍式晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201810330520.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108461402A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李镇全 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鳍式晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术，该鳍式晶体管的制造方法包括：步骤110提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同；以得到不同鳍高的鳍式晶体管，满足集成电路对不同特性的晶体管的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式晶体管 第二区域 第一区域 刻蚀工艺 制备 集成电路制造技术 硅化物层 晶体管 沉积 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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