[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法在审
| 申请号： | 201810330533.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110137150A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 彭勃澍;何政霖;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法。本发明提供一种衬底，其包含具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第一电介质层、邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构的第一图案化导电层以及互连元件。所述互连元件从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面，且由所述互连结构围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 第一表面 电介质层 封装 第二表面 互连结构 互连元件 图案化导电层 衬底 制造 邻近 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种衬底，其包括：第一电介质层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一图案化导电层，其邻近于所述第一电介质层的所述第一表面且包括互连结构；以及互连元件，其从所述第一电介质层的所述第一表面延伸到所述第一电介质层的所述第二表面且由所述互连结构围绕。
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