[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201810331187.1 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108461596A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 刘兆;吕奇孟;刘英策;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 | 申请(专利权)人: | 江西乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 330103 江西省南昌市新*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法,其中,所述发光二极管的电流阻挡层位于外延结构与透明导电层之间,所述电流阻挡层中具有多个孔洞,所述透明导电层通过这些孔洞实现与外延结构的欧姆接触,从而实现了局部点式发光,提升了发光二极管的发光亮度;并且由于多个所述孔洞介于外延结构与透明导电层之间的电流阻挡层中,不存在由于孔洞未完全刻穿而导致的第一电极无法与透明导电层形成良好欧姆接触的问题,降低了所述发光二极管的制备难度;进一步的,由于多个所述孔洞在所述衬底上的正投影位于预设区域中,降低了第一扩展电极下方的电子‑空穴复合数量,从而降低了被所述第一扩展电极反射和吸收的光子,从而提升了发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 孔洞 透明导电层 电流阻挡层 外延结构 制备 扩展电极 欧姆接触 发光 第一电极 发光效率 空穴复合 预设区域 正投影 光子 衬底 点式 刻穿 反射 申请 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底表面的外延结构;位于所述外延结构背离所述衬底一侧的电流阻挡层,所述电流阻挡层中具有多个贯穿所述电流阻挡层的孔洞;位于所述电流阻挡层背离所述衬底一侧,且覆盖所述电流阻挡层的透明导电层;位于所述透明导电层背离所述衬底一侧的第一电极,所述第一电极包括正电极以及与所述正电极连接的至少一条第一扩展电极;所述孔洞在所述衬底上的正投影位于预设区域中,所述预设区域包括所述第一扩展电极在所述衬底上的正投影所在区域,以及距离所述第一扩展电极在所述衬底上的正投影预设距离内的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西乾照光电有限公司,未经江西乾照光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810331187.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有侧面反射层的发光二极管
- 下一篇:一种发光二极管电极装置