[发明专利]一种微纳晶体管与微纳晶体管制作方法在审
| 申请号： | 201810332029.8 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108461535A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 任远;陈志涛;刘晓燕;潘章旭;李叶林;龚政;张佰君 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出一种微纳晶体管与微纳晶体管制作方法，涉及微纳晶体管技术领域。所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。本发明实施例提供的微纳晶体管与微纳晶体管制作方法具有减小了晶格失配与热失配的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 势垒层 外延层 铺设 栅极介质层 缓冲层 漏极金属层 源极金属层 栅极金属层 制作 衬底 晶体管技术 晶格失配 热失配 缓冲 减小 | ||
【主权项】：
1.一种微纳晶体管，其特征在于，所述微纳晶体管包括衬底、缓冲层、外延层、势垒层、栅极介质层、栅极金属层、源极金属层以及漏极金属层，所述缓冲层铺设于所述衬底，所述外延层的端部与所述缓冲层面连接，所述势垒层铺设与所述外延层上，所述栅极介质层铺设于所述势垒层上，所述栅极金属层铺设于所述栅极介质层上，所述源极金属层与所述漏极金属层分别铺设于所述势垒层的靠近两端的位置，且制作所述缓冲层与所述外延层的材料相同。
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