[发明专利]一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法在审
| 申请号： | 201810332572.8 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108441961A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李璐杰;徐永宽;程红娟;张颖武;练小正;于凯;霍晓青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B15/36 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法。本方法选用直径大于或等于所要制备的GaSb晶锭尺寸的GaAs晶锭制作籽晶；该籽晶结构包括细颈部分以及直径不小于所要制备的GaSb晶锭直径的宽颈部分；将细颈部位固定于籽晶固定支架上，并连接于提拉装置上；宽颈部位在GaSb晶体生长过程中用于引晶；在GaSb晶体生长过程中，宽颈部位的1‑2cm部分进入GaSb熔体完成引晶过程。采用本方法可在GaSb单晶生长过程中免除晶体放肩过程，可提高大尺寸GaSb单晶的制备效率和成晶率。该工艺中GaAs籽晶可反复多次使用，对单晶生长设备无特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 晶锭 宽颈 籽晶 制备 晶体生长过程 快速生长 引晶 单晶生长过程 单晶生长设备 多次使用 固定支架 提拉装置 细颈部位 籽晶结构 放肩 熔体 细颈 制作 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸GaSb单晶的快速生长方法，其特征在于，选用直径大于或等于所要制备的GaSb晶锭尺寸的GaAs晶锭制作籽晶；该籽晶结构包括细颈部分以及直径不小于所要制备的GaSb晶锭直径的宽颈部分；将细颈部位固定于籽晶固定支架上，并连接于提拉装置上；宽颈部位在GaSb晶体生长过程中用于引晶；在GaSb晶体生长过程中，宽颈部位的1‑2cm部分进入GaSb熔体完成引晶过程。
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