[发明专利]超低温稳定温阻特性的微通道板及其制备方法有效
| 申请号： | 201810332791.6 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108493083B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡华;徐滔;许阳蕾;薄铁柱;李庆;廉姣;周东站;刘辉 | 申请（专利权）人： | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J43/24;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100024*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种超低温稳定温阻特性的微通道板及其制备方法，其制备方法包括：在微通道板基板的内壁上制备导电层；在所述的导电层上制备二次电子发射层；在所述的二次电子发射层上制备温阻特性改性层，得到超低温稳定温阻特性的微通道板。本发明利用原子层沉积技术在微通道板微孔通道内壁表面沉积一层在超低温条件下仍具有良好的正电阻温度特性的温阻特性改性层，以减缓在超低温条件下微通道板体电阻随温度急剧增大的趋势，实现超低温条件下微通道板的高稳定温阻特性，降低微通道板超低温体电阻，提高微通道板在超低温条件下信号超快速读取与响应的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 微通道板 制备 超低温条件 超低温 二次电子发射层 导电层 改性层 体电阻 原子层沉积技术 正电阻温度特性 快速读取 内壁表面 微孔通道 高稳定 增大的 沉积 基板 内壁 响应 | ||
【主权项】：
1.一种超低温稳定温阻特性的微通道板的制备方法，其特征在于，其包括：在微通道板基板的内壁上制备导电层；在所述的导电层上制备二次电子发射层；在所述的二次电子发射层上采用原子层沉积法制备温阻特性改性层，得到超低温稳定温阻特性的微通道板；所述的温阻特性改性层为钛酸钡复合薄膜或钛酸锶钡复合薄膜；所述的钛酸钡复合薄膜包括至少一层钛酸钡层；每层所述的钛酸钡层由微通道孔的内壁至微通道孔的中心依次由氧化钡层和氧化钛层组成；所述的氧化钡层沉积时，其有机源是Ba(iPr3Cp)2，通入Ba(iPr3Cp)2的次数为N4；氧化钛层沉积时，其有机源为四异丙醇钛，通入四异丙醇钛的次数为N5；所述的N4和N5的比例为11: 20；所述的钛酸锶钡复合薄膜包括至少一层钛酸锶钡层；每层所述的钛酸锶钡层由微通道孔的内壁至微通道孔的中心依次由氧化钡层、氧化钛层和氧化锶层组成；所述的氧化钡层沉积时，其有机源是Ba(iPr3Cp)2，通入Ba(iPr3Cp)2的次数为N1；氧化钛层沉积时，其有机源为四异丙醇钛，通入四异丙醇钛的次数为N2；氧化锶层沉积时，有机源为Sr(Pr(CH)4Cp)2，通入Sr(Pr(CH)4Cp)2的次数为N3；所述的N1、N2和N3的比例为10:25:6或者12:20:10。
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