[发明专利]加热基座及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201810333271.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110379729B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 王勇飞;兰云峰;王洪彪 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热基座及半导体加工设备，该加热基座包括基座主体和设置在基座主体下方的可伸缩腔体，其中，基座主体和可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在空腔中设置有加热元件，且在空腔中充满导热媒介；可伸缩腔体能够伸缩，以使空腔的体积随空腔的压强变化而变化。本发明提供的加热基座，其不仅可以避免发生事故，而且无需使用压力控制装置，从而简化了基座结构，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 基座 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种加热基座，其特征在于，包括基座主体和设置在所述基座主体下方的可伸缩腔体，其中，所述基座主体和所述可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在所述空腔中设置有加热元件，且在所述空腔中充满导热媒介；所述可伸缩腔体能够伸缩，以使所述空腔的体积随所述空腔的压强变化而变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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