[发明专利]一种Cu-Mo梯度薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810335076.8 | 申请日： | 2018-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN108504993A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张昌钦;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu‑Mo梯度薄膜材料及其制备方法，所述方法以商业铜箔或钠钙玻璃为基底，以高纯铜靶材、钼靶材为溅射材料，高真空多靶磁控溅射设备为制备工具，通过在共溅射沉积的过程中固定铜靶靶位溅射功率、改变钼靶靶位的溅射功率实现膜材料中铜、钼相对含量的调节，通过改变共溅射时间来控制制备薄膜的厚度，最终制备了厚度可变的Cu‑Mo梯度薄膜材料。本发明所述方法制备流程短、操作简单，参数控制范围宽，容易实现，梯度层厚度可随意控制等特点，具有良好的商业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 梯度薄膜 溅射功率 共溅射 靶位 多靶磁控溅射 参数控制 高纯铜靶 厚度可变 溅射材料 钠钙玻璃 高真空 固定铜 膜材料 梯度层 钼靶材 沉积 基底 铜箔 钼靶 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑Mo梯度薄膜材料及其制备方法，包括：一种Cu和Mo元素含量呈梯度变化的Cu‑Mo二元合金薄膜材料，该材料采用高真空双靶磁控溅射方法制备而成。
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