[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供一种能耐受高耐压且大电流的使用的半导体元件。半导体元件(100)具备半导体基板、配置在半导体基板上的碳化硅半导体层、和配置在碳化硅半导体层内的终端区域。终端区域具有：配置为包围碳化硅半导体层的表面的一部分的保护环区域、和配置为与保护环区域分离并包围保护环区域的周围的包括多个环的FLR区域。终端区域包括扇部，在扇部，多个环之中的至少一个环的内周以及外周和保护环区域的内周以及外周具有相同的第1曲率中心，第1曲率中心位于比保护环区域的内周更靠内侧的位置，保护环区域的内周的曲率半径为50μm以下。

主权项

1.一种半导体元件，具备：第1导电型的半导体基板，具有主面以及背面；第1导电型的碳化硅半导体层，配置在所述半导体基板的所述主面上；第2导电型的终端区域，配置在所述碳化硅半导体层内；第1电极，配置在所述碳化硅半导体层上，与所述碳化硅半导体层形成肖特基结；和第2电极，配置在所述半导体基板的所述背面上，与所述半导体基板形成欧姆结，所述终端区域配置为从所述半导体基板的所述主面的法线方向观察时包围所述碳化硅半导体层的表面的一部分，所述终端区域具有：第2导电型的保护环区域，与所述碳化硅半导体层的表面相接；和第2导电型的包括多个环的场限环区域，配置为与所述保护环区域分离并包围所述保护环区域的周围，所述第1电极具有与所述碳化硅半导体层相接的面，所述第1电极在与所述碳化硅半导体层相接的所述面的边缘部，与所述保护环区域相接，从所述碳化硅半导体层的表面的法线方向观察，所述终端区域包括扇部，在所述扇部，所述多个环之中的至少一个环的内周以及外周和所述保护环区域的内周以及外周具有相同的第1曲率中心，所述第1曲率中心位于比所述保护环区域的所述内周更靠内侧的位置，所述保护环区域的内周的曲率半径为50μm以下。