[发明专利]衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件

摘要

本发明提供一种衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件，所述衬底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的工艺中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；及对所述堆叠结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成掩模层；通过利用第一蚀刻溶液对所述掩模层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述掩模层进行蚀刻。

主权项

1.一种衬底处理方法，其特征在于，包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；对所述堆叠结构进行蚀刻，以形成结构，所述结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与所述下表面的侧表面；在所述结构上形成阻挡层，以覆盖所述结构；在所述阻挡层上形成掩模层，以覆盖所述阻挡层；通过对所述掩模层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；以及对所述掩模层进行蚀刻。