[发明专利]一种全熔高效硅锭的分级方法

摘要

本发明公开了一种全熔高效硅锭的分级方法，涉及多晶硅铸锭技术领域，包括以下步骤：坩埚侧壁去除后将硅锭调离坩埚底板；将卸锭好的硅锭进行翻转，使得硅锭底部朝上、正面朝下；将翻转后的硅锭放入喷砂机，对硅锭底部进行喷砂5～10分钟，以硅锭底部氮化硅全部剥离作为标准；硅锭喷砂结束后，利用纯水对硅锭底部进行清洗；将硅锭放到灯下，利用灯光反射效果进行晶花判断；大锭晶粒分为四类。本发明提供了一种简单有效的全熔高效硅锭晶粒尺寸等级判断方法，为全熔高效工艺解决了效率低、稳定性差的问题。

主权项

1.一种全熔高效硅锭的分级方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将坩埚侧壁去除后，利用夹具将硅锭调离坩埚底板；S2、利用专用的硅锭翻转夹具将卸锭好的硅锭进行翻转，使得硅锭底部朝上、正面朝下；S3、将翻转后的硅锭放入喷砂机，对硅锭底部进行喷砂5～10分钟，以硅锭底部氮化硅全部剥离作为标准；S4、硅锭喷砂结束后，利用纯水对硅锭底部进行清洗；S5、将硅锭放到灯下，利用灯光反射效果进行晶花判断；S6、大锭晶粒分为四类，具体如下：a、如硅锭底面整体晶花大小均匀，单个晶粒尺寸均匀分布在2mm以内、整面晶粒大于10mm的晶粒个数小于1个，则判定为H1‑A级，直接开方切片；b、如硅锭底面整体晶花大小均匀，单个晶粒尺寸均匀分布在5mm以内、整面晶粒大于10mm的晶粒个数小于3个，则判定为H1级，直接开方切片；c、如硅锭底面整体晶粒大小均匀，单个晶粒尺寸均匀分布在10mm以内、整面晶粒大于10mm的晶花个数小于5个，则判定为H2级，该锭需开方截断后重新进行复判；d、如硅锭底面整体晶粒大小均匀，大锭底部整面单个晶粒大小大于10mm的个数大于5个或整面晶花分布不均、单个晶粒尺寸均在10mm以上，则判定为H3级，该锭判为普通硅片，开方切片后做降级处理。