[发明专利]一种堇青石/氮化铝电子封装陶瓷基片及制备方法

摘要

本发明涉及一种堇青石/氮化铝电子封装陶瓷基片及制备方法，其技术方案是：以35~55wt%的高岭土、25~40wt%的滑石、15~30 wt%的氧化铝，以及外加的0.5~3 wt%的金属铝粉为原料，装入研磨介质为氧化锆瓷球的聚氨酯罐，再加入占原料总体积120 vol%的无水乙醇，开机球磨24‑36小时。之后将料浆取出在110ºC×24h下热处理，得到凝固物。破碎之后过0.38mm标准筛，外加2.5wt%的聚乙烯醇水溶液混合，经150MPa机压成型。坯体经110ºC×18h下烘干后置于氮气气氛炉内，经1380ºC×3h热处理得到堇青石/氮化铝陶瓷基片。本发明具有配料简单、制作方法简易、成本低、生产效率高特点，所制备堇青石/氮化铝陶瓷的体积密度低于1.96g/cm3，常温耐压强度达150~260MPa，热膨胀系数为1.5～3.2×10‑6/K，热导率为20‑35W/m·K，适宜作为电子封装陶瓷基片使用。

主权项

1.一种堇青石/氮化铝电子封装陶瓷基片其特征在于：原料由重量百分数为35~55 wt%的高岭土、25~40 wt%的滑石、15~30 wt%的氧化铝、0.5~3wt%的金属铝粉、分散介质和结合剂组成的，其中分散介质的加入量占高岭土、滑石、氧化铝和金属铝粉总体积的120vol%；结合剂的加入量占高岭土、滑石、氧化铝和金属铝粉总重量的2.5 wt%。