[发明专利]一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810337141.0 申请日: 2018-04-15
公开(公告)号: CN108417708A 公开(公告)日: 2018-08-17
发明(设计)人: 田莉;赵晓林;王建禄 申请(专利权)人: 湖南工程学院
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 代理人: 冷玉萍
地址: 411104 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法。本发明在衬底上制备超薄铁磁薄膜/PVDF基铁电薄膜/Al结构的铁电器件,首先在衬底上制备超薄铁磁薄膜,在制备“十”字标记后,通过光刻和刻蚀得到所需铁磁薄膜图形;然后采用溶胶‑凝胶方法或朗谬尔‑布罗基特方法制备PVDF基有机铁电薄膜;最后在有机铁电薄膜表面制备Al薄膜,通过光刻和刻蚀得到所需Al电极图形。本发明在器件中通过对铁磁薄膜的电极引脚和Al电极加电场使PVDF基铁电薄膜极化,而由极化引起的铁磁薄膜的电性能变化可通过伏安表测量,从而能够为研究有机铁电薄膜对超薄铁磁薄膜的磁性能调控提供保证。
搜索关键词: 铁磁薄膜 制备 铁电器件 磁性能 电薄膜 有机铁 基铁电 极化 衬底 光刻 刻蚀 薄膜 调控 表面制备 电极引脚 表测量 电性能 加电场 朗谬尔 字标记 凝胶 保证 研究
【主权项】:
1.一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)采用双离子束溅射方法在衬底上生长铁磁薄膜,其中衬底材料为覆盖有SiO2的100取向的单晶Si片或100取向的SrTiO3单晶片;(2)采用lift‑off方法在超薄铁磁薄膜的表面制备出Ti/Au“十”字标记,以校准后续所需的光刻图形;(3)在铁磁薄膜表面通过旋涂光刻胶、前烘、紫外光曝光、显影、后烘、Ar离子刻蚀步骤,得到所需的铁磁薄膜图形;再次采用lift‑off方法在铁磁薄膜上溅射生长Ti/Au电极引脚;(4)在具有铁磁薄膜图形的衬底上制备PVDF基铁电薄膜;(5)采用热蒸发或双离子束溅射方法在PVDF基铁电薄膜的表面制备金属Al薄膜;然后通过涂光刻胶、前烘、紫外光曝光、显影、后烘、Ar离子刻蚀等步骤得Al电极图形。
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