[发明专利]MEMS微振镜及基于SOI顶层硅预制该MEMS微振镜的制作方法

摘要

本发明提供一种MEMS微振镜及基于SOI顶层硅预制该MEMS微振镜的制作方法，在键合形成SOI晶圆之前，预先在顶层硅背面通过微加工制作特定的微结构从而移除镜面的部分质量并维持镜面的结构强度和尺寸，同时在底层硅正面根据镜面扭转运动所需要的空间大小提前制作腔室，然后将顶层硅和底层硅的制作有微结构的一面相互对准键合形成SOI晶圆并通过研磨抛光工艺减薄至目标厚度，最后在顶层硅正面加工制作所需要的金属反射层和镜面可动结构，解决了以常规SOI晶圆加工MEMS微振镜存在的大尺寸镜面结构质量过大，影响振镜的扭转角度及性能的问题，从而扩展MEMS微振镜设计和加工的自由度，提高MEMS微振镜的性能，尤其对制作高可靠性、大镜面尺寸的MEMS微振镜具有重要意义。

主权项

1.一种MEMS微振镜，利用SOI晶圆制备，包括底层硅、埋氧层和顶层硅，底层硅通过埋氧层与顶层硅键合，顶层硅上设有微振镜镜面及隔离沟槽，其特征在于：所述微振镜镜面的背部设有第一腔室单元，所述第一腔室单元包括n个第一腔室，n≥1，所述底层硅内部具有第二腔室，所述第二腔室对应于微振镜镜面位置，为微振镜镜面提供扭转空间。