[发明专利]Ga有效
申请号: | 201810338037.3 | 申请日: | 2018-04-16 |
公开(公告)号: | CN108441964B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 刘彬文;郭国聪;王国强;姜小明;曾卉一;徐忠宁;王观娥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01L41/18 | 分类号: | H01L41/18;H01L35/16;C30B29/46;C30B11/02 |
代理公司: | 11540 北京元周律知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王惠 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请公开了一种铁电单晶的制备方法,将含有Ga | ||
搜索关键词: | 铁电材料 铁电单晶 单晶 制备 热稳定性能 测试频率 高温保温 热电器件 剩余极化 室温条件 压电器件 真空条件 综合性能 二元相 晶体的 潜在的 加热 合成 生长 申请 | ||
【主权项】:
1.Ga
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