[发明专利]一种全碳忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810339076.5 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN108682738B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;竺臻楠;俞家欢;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全碳忆阻器，自下而上依次包括衬底、石墨烯底电极层、氧化石墨烯中间介质层和石墨烯顶电极层。还公开了其制备方法，包括：(1)采用抽滤法在衬底上制备石墨烯底电极层；(2)采用抽滤法在石墨烯底电极层上转移氧化石墨烯中间介质层；(3)采用抽滤法在氧化石墨烯中间介质层上转移石墨烯顶电极层。本发明通过低温溶液法制备全碳忆阻器，大大降低了制备忆阻器的成本，且工艺简单，适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全碳忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全碳忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：(1)采用抽滤法在衬底上制备石墨烯底电极层；(2)采用抽滤法在石墨烯底电极层上转移氧化石墨烯中间介质层；(3)采用抽滤法在氧化石墨烯中间介质层上转移石墨烯顶电极层。
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