[发明专利]一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器在审
| 申请号： | 201810340718.3 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108512032A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 崔碧峰;程瑾;王阳;房天啸;郝帅 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的激射波长或是1/2、1/3、1/4的激射波长的整数倍的介质膜、金属膜或柔性膜及其上的光栅。该发明提高了半导体激光器的光输出偏振比，利于将激光耦合到光纤中，提高激光合束后的输出功率，拓展了大功率半导体激光器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 端面发射半导体激光器 半导体激光器 激射波长 选择机构 大功率半导体激光器 量子阱结构 背面电极 激光耦合 上限制层 输出功率 下限制层 正面电极 激光器 光输出 介质膜 金属膜 柔性膜 增透膜 整数倍 衬底 盖层 合束 膜厚 偏振 源层 光纤 激光 拓展 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，其特征在于，在衬底1上，采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)依次生长下限制层2、具有量子阱结构的有源层3、上限制层4、盖层5、正面电极6、背面电极7；采用离子辅助电子束蒸发(IAEBE)方法在所述外延结构的出光端面制备增透膜8，再在上面制备一层介质膜、金属膜或柔性膜9，再在上面刻出光栅10。
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